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Consortium of Swiss Academic Libraries

Properties of InGaN deposited on Glass at Low Temperature

Beierlein, Tilman ; Strite, S. ; Dommann, A. ; Smith, D. J.

In: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 1997, vol. 2, p. -

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Consortium of Swiss Academic Libraries

Efficient optical activation of ion-implanted Zn acceptors in GaN by annealing under 10 kbar N2 overpressure

Strite, S. ; Pelzmann, A. ; Suski, T. ; Leszczynski, M. ; Jun, J. ; Rockett, A. ; Kamp, Markus ; Ebeling, K. J.

In: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 1997, vol. 2, p. -

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Consortium of Swiss Academic Libraries

Improved optical activation of ion-implanted Zn acceptors in GaN by annealing under N2 overpressure

Pelzmann, A. ; Strite, S. ; Dommann, A. ; Kirchner, C. ; Kamp, Markus ; Ebeling, K. J. ; Nazzal, A.

In: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 1997, vol. 2, p. -

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